سيئول، 1 فبراير(يونهاب) -- قالت شركة سامسونغ للالكترونيات اليوم الاثنين إنها نجحت في تطوير رقاقة ذاكرة الدخول العشوائي الديناميكية(DRAM) من 30 نانومتر للمرة الأولى في العالم.  

وتتوقع الشركة بأن يخفض المنتج الجديد استهلاك الطاقة الكهربائية إلى 85% مقارنة برقائق درام 40 نانومتر الموجودة حالياً. علماً بأن نانومتر يساوي 1 من مليار جزء من المتر.  

وقالت الشركة إن التقنية كذلك ستعمل على تحسين الانتاجية بنسبة 60% ، حيث أن كل رقاقة درام ستحتل مساحة صغيرة في خط الانتاج.  

ويقصد من درام شرائح الذاكرة لحفظ البيانات في محتوى إلكتروني منفصل ضمن دائرة واحدة .  

(انتهى)